さて,途中になっている電磁波の散乱振幅の計算の続きです。
前回はr=aで磁場の垂直成分Brがゼロであるという境界条件:k2ΠE+(1/r){∂2(rΠE)/∂2r}=0 から磁気的波TE波の散乱波のポテンシャルΠscEが,入射平面波のそれ:ΠinEと同じPl1(cosθ)sinφの形の項しか持たないという結論を得ました。
今日は他のr=aでの境界条件(1/r){∂2(rΠM)/∂r∂θ}+(iω/sinθ)(∂ΠE/∂φ)=0,および{1/(rsinθ)}{∂2(rΠM)/∂r∂φ}(1/r)-iω∂ΠE/∂θ=0 に着目します。
これらの条件とΠEがsinφに比例するということから,電気的波TM波の方のポテンシャルΠMはcosφに比例することがわかります。
そこで,ΠM=ΠinM+ΠscMなる分解をすれば,散乱TE波のΠscEがPl1(cosθ)sinφの項しか持たないのと同様に,散乱TM波のポテンシャルΠscMはPl1(cosθ)cosφの形の項しか持たないことがわかります。
そこで,ΠscM,およびΠscEの展開式はそれぞれΠscM(r,θ,φ)≡(1/k)Σl=1∞{AMljl(kr)+BMlnl(kr)}Pl1(cosθ)cosφ,およびΠscE(r,θ,φ)≡{1/(ck)}Σl=1∞{AEljl(kr)+BElnl(kr)}Pl1(cosθ)sinφと書くことができます。
ここで,後の便宜上,ΠscMの展開係数AM,BMに対応するΠscEの展開係数はAE/c,BE/cであるとしています。
また,r→ ∞における散乱境界条件は,ΠM(r,θ,φ)→ΠinM(r,θ,φ)+f1(θ)exp(ikr)cosφ/r,およびΠE(r,θ,φ)→ ΠinE(r,θ,φ)+f2(θ)exp(ikr)sinφ/rと書けます。
ところで,球面ベッセル(Bessel)関数の漸近近似:jl(x)→ sin(x-lπ/2)/x(x→∞)です。
そこで,r→∞ではΠinM(r,θ,φ)=(1/k)Σl=1∞[il-1(2l+1)/{l(l+1)}jl(kr)Pl1(cosθ)cosφ]→ (1/k)Σl=1∞[il-1(2l+1)/{l(l+1)}{1/(kr)}sin(kr-lπ/2)Pl1(cosθ)cosφ]です。
つまり,ΠinM(r,θ,φ)→-{1/(2k2)}Σl=1∞[(2l+1)/{l(l+1)}{exp(ikr)-(-1)lexp(-ikr)}Pl1(cosθ)cosφ/r]です。
そこで,f1(θ)=-{1/(2k2)}Σl=1∞[(2l+1)/{l(l+1)}alPl1(cosθ)]と置けば,ΠM(r,θ,φ)→-{1/(2k2)}Σl=1∞[(2l+1)/{l(l+1)}{(1+al)exp(ikr)-(-1)lexp(-ikr)}Pl1(cosθ)cosφ/r]と書けます。
一方,x→∞での球面ノイマン(Neumann)関数の漸近近似はnl(x)→-cos(x-lπ/2)/xです。
そこで,ΠscM(r,θ,φ)=(1/k)Σl=1∞{AMljl(kr)+BMlnl(kr)}Pl1(cosθ)cosφ→f1(θ)exp(ikr)cosφ/rにおける因子:{AMljl(kr)+BMlnl(kr)}は,r→∞ではAMljl(kr)+BMlnl(kr)→{AMlsin(kr-lπ/2)-BMlcos(kr-lπ/2)}/(kr)={1/(2ikr)}(-i)l{(AMl-iBMl)exp(ikr)-(-1)l{(AMl+iBMl)exp(-ikr)}なる形で漸近的に挙動します。
しかし,r→ ∞では内向き球面波exp(-ikr)/rは存在せず,その係数はゼロであるはずですからAMl+iBMl=0,つまりBMl=iAMlです。
それ故,AMljl(kr)+BMlnl(kr)=AMl{ jl(kr)+inl(kr)}=AMlhl(1)(kr)と書けます。ただしhl(1)は球面ハンケル(Hankel)関数の1方です。
以上から,ΠscM(r,θ,φ)=(1/k)Σl=1∞{AMlhl(1)(kr)Pl1(cosθ)cosφ}と書くことができます。
同様にして,ΠscE(r,θ,φ)={1/(ck)Σl=1∞{AElhl(1)(kr)Pl1(cosθ)sinφ}と書けることもわかります。
ところで,入射平面波については,既に見たように電場はErin=exp(ikrcosθ)sinθcosφ=k2ΠinM+(1/r){∂2(rΠinM)/∂2r}={1/(kr)}Σl=1∞(2l+1)il-1jl(kr)Pl1(cosθ)cosφです。
そして,ΠinM(r,θ,φ)=(1/k)Σl=1∞(2l+1)il-1/{l(l+1)}jl(kr)Pl1(cosθ)cosφ,ΠinE(r,θ,φ)={1/(ck)}Σl=1∞(2l+1)il-1/{l(l+1)}jl(kr)Pl1(cosθ)sinφです。
そこで,Eθin=(1/r)∂ΠinM/∂θ+∂2ΠinM/∂r∂θ+(iω/sinθ)(∂ΠinE/∂φ)=exp(ikrcosθ)sinθsinφ=(cosφ/k)Σl=1∞(2l+1)il-1/{l(l+1)}[{jl(kr)/r+kjl'(kr)}τl(cosθ)+ikjl(kr)πl(cosθ)]です。
ただし,τl(cosθ)≡dPl1(cosθ)/dθ=-sinθdPl1(cosθ)/d(cosθ),πl(cosθ)≡Pl1(cosθ)/sinθと置きました。
また,Eφin={1/(rsinθ)}(∂ΠinM/∂φ)+(1/sinθ)(∂2ΠinM/∂r∂φ)-iω∂ΠinE/∂θ=-1exp(ikrcosθ)sinφ=-(sinφ/k)Σl=1∞(2l+1)il-1/{l(l+1)}[{jl(kr)/r+kjl'(kr)}πl(cosθ)+ikjl(kr)τl(cosθ)]です。
さらに,磁場はBrin=c-1exp(ikrcosθ)sinθsinφ=k2ΠinE+(1/r){∂2(rΠinE)/∂2r}={1/(ckr)}Σl=1∞(2l+1)il-1jl(kr)Pl1(cosθ)sinφです。
また,Bθin={-iω/(c2sinθ)}(∂ΠinM/∂φ)+(1/r)(∂ΠinM/∂θ)+∂2ΠinM/∂r∂θ={sinφ/(ck)}Σl=1∞(2l+1)il-1/{l(l+1)}[ikjl(kr)πl(cosθ)]+{jl(kr)/r+kjl'(kr)}τl(cosθ)]です。
そして,Bφin=(iω/c2)(∂ΠinM/∂θ)+{1/(rsinθ)}(∂ΠinE/∂φ)+(1/sinθ)(∂2ΠinE/∂r∂φ)={cosφ/(ck)}Σl=1∞(2l+1)il-1/{l(l+1)}[ikjl(kr)τl(cosθ)+{jl(kr)/r+kjl'(kr)}πl(cosθ)]となります。
そして,散乱波も同じ方法で計算できてErsc=k2ΠscM+(1/r){∂2(rΠscM)/∂2r}={1/(kr)}Σl=1∞[l(l+1)AMlhl(1)(kr)Pl1(cosθ)cosφ]です。
また,Eθsc=(1/r)∂ΠscM/∂θ+∂2ΠscM/∂r∂θ+(iω/sinθ)(∂ΠicE/∂φ)=(cosφ/k)Σl=1∞[AMl{hl(1)(kr)/r+khl(1)'(kr)}τl(cosθ)+ikAElhl(1)(kr)πl(cosθ)]です。
同じく,Eφsc={1/(rsinθ)}(∂ΠscM/∂φ)+(1/sinθ)(∂2ΠscM/∂r∂φ)-iω∂ΠscE/∂θ==-(sinφ/k)Σl=1∞[AMl{hl(1)(kr)/r+khl(1)'(kr)}πl(cosθ)+ikAElhl(1)(kr)τl(cosθ)]です。
同様にして,Brsc={1/(ckr)}Σl=1∞[l(l+1)AElhl(1)(kr)Pl1(cosθ)sinφ],Bθsc={sinφ/(ck)}Σl=1∞[ikAMlhl(1)(kr)πl(cosθ)+AEl{hl(1)(kr)/r+khl(1)'(kr)}τl(cosθ)+],Bφsc={cosφ/(ck)}Σl=1∞[ikAMlhl(1)(kr)τl(cosθ)+AEl{hl(1)(kr)/r+khl(1)'(kr)}πl(cosθ)]です。
ここで,ηl(kr)≡(kr)jl(kr),ξl(kr)≡(kr)hl(1)(kr)と置いて得られた全ての式を整理します。
まず,電場の動径成分については,Erin={1/(k2r2)}Σl=1∞(2l+1)il-1ηl(kr)Pl1(cosθ)cosφです。
また,Eθin={cosφ/(kr)}Σl=1∞(2l+1)il-1/{l(l+1)}[ηl'(kr)τl(cosθ)+iηl(kr)πl(cosθ)],Eφin=-{sinφ/(kr)}Σl=1∞(2l+1)il-1/{l(l+1)}[ηl'(kr)πl(cosθ)+iηl(kr)τl(cosθ)]とやや簡単な表現になります。
さらに磁場については,まずBrin={1/(ck2r2)}Σl=1∞(2l+1)il-1ηl(kr)Pl1(cosθ)sinφです。
次に,Bθin={sinφ/(ckr)}Σl=1∞(2l+1)il-1/{l(l+1)}[ iηl(kr)πl(cosθ)]+ηl'(kr)τl(cosθ)],およびBφin={cosφ/(ckr)}Σl=1∞(2l+1)il-1/{l(l+1)}[iηl(kr)τl(cosθ)+ηl'(kr)]πl(cosθ)]となります。
散乱波についても全く同様ですが煩雑なので結果だけ列挙します。
まず,電場はErsc={1/(k2r2)}Σl=1∞[l(l+1)AMlξl(kr)Pl1(cosθ)cosφ],Eθsc={cosφ/(kr)Σl=1∞[AMlξl'(kr)]τl(cosθ)+iAElξl(kr)πl(cosθ)},Eφsc=-{sinφ/(kr)}Σl=1∞[AMlξl'(kr)πl(cosθ)+iAElξl(kr)τl(cosθ)]です。
同様に,磁場はBrsc={1/(ck2r2)}Σl=1∞[l(l+1)AElξl(kr)Pl1(cosθ)cosφ],Bθsc={sinφ/(ckr)}Σl=1∞[iAMlξl(kr)πl(cosθ)+AElξl'(kr)τl(cosθ)],Bφsc={cosφ/(ckr)}Σl=1∞[iAMlξl(kr)τl(cosθ)+AElξl'(kr)]πl(cosθ)]と書けます。
これに,境界条件:[Eθin+Eθsc]r=a=0,[Eφin+Eφsc]r=a=0,[Brin+Brsc]r=a=0 を当てはめると,(2l+1)il-1ηl'(ka)+l(l+1)AMlξl'(ka)=0,(2l+1)il-1ηl(ka)+l(l+1)AElξl(ka)=0 を得ます。
故に,未知係数は全て陽に決まりAMl=il-1(2l+1)ηl'(ka)/{l(l+1)ξl'(ka)},AEl=il-1(2l+1)ηl(ka)/{l(l+1)ξl(ka)}となって解が完全に得られます。
ところで,r→ ∞ のときにはErsc,Brsc ∝ξl/r2 →O(1/r2),Eθsc,Eφsc,Bθsc,Bφsc ∝ξl/r →O(1/r)です。
それ故,r→ ∞では散乱波の散乱体球の動径成分(球面波の縦波成分)Ersc,Brscは,球の接線成分(球面波の横波成分)Eθsc,Eφsc,Bθsc,Bφscに比べて無視してよいと考えられます。
つまり,r→ ∞での散乱波も入射波と同じく,その球面波の進行方向に垂直な偏光成分だけを持つ横波となることがわかります。
また,r→∞ではξl(kr)=(kr)hl(1)(kr)→(-i)l+1exp(ikr),ξl'(kr)→ik(-i)l+1exp(ikr)です。
そこでξl(kr)ξm'(kr)=ξm'(kr)ξl(kr) →-ik(-i)l+mexp(2ikr)よりr→∞でEθscBθsc+EφscBφsc=0 であり,EscBsc=0 です。
つまり散乱電磁波も電場と磁場が直交して進む横波です。
そして,散乱振幅とそれに基づいた散乱の断面積を計算するためにr→∞での平均エネルギー密度に関係する量を計算することを考えます。
まず,r→∞では|Eθsc|2+|Eφsc|2=c2(|Bθsc|2+|Bφsc|2)={1/(k2r2)}(cos2φ|Sθ|2+sin2φ|Sφ|2)と書けます。ただしSθとSφは次式で定義される量です。
すなわち,Sθ≡Σl=1∞(-i)l+1i[AMlτl+AElπl],Sφ≡Σl=1∞(-i)l+1i[AMlπl+AElτl]とします。
さて,既に以前計算しましたが入射電磁波の平均エネルギー密度は,複素電磁場の表現では真空中のポインテイングベクトルの時間平均値として<|Sin|>=|Ein×Bin*|/(2μ0)=1/(2cμ0)で与えられます。
一方,散乱波のそれは,<|Ssc|>2=|Esc×Bsc*|2/(4μ02)=(εijkEjBk*εilmEl*Bm)/(4μ02)={|Esc|2|Bsc|2-|(EscBsc)|2}/(4μ02)→(|Esc|2|Bsc|2)/(4μ02)です。
それ故,r→ ∞では<|Ssc|>=|Esc|2|Bsc|/(2μ0)=(|Eθsc|2+|Eφsc|2)/(2cμ0)={1/(2cμ0k2r2)}(cos2φ|Sθ|2+sin2φ|Sφ|2)と書けます。
したがって,微小立体角dΩ=d(cosθ)dφへの散乱の微分断面積dσは,dσ=(<|Ssc|>/<|Sin|>)r2dΩなる定義によってdσ/dΩ=(1/k2)(cos2φ|Sθ|2+sin2φ|Sφ|2)となります。
ここで,Sθ≡Σl=1∞(-i)l+1i[AMlτl+AElπl],Sφ≡Σl=1∞(-i)l+1i[AMlπl+AElτl]は,今の場合の係数Aの陽な表現では-iSθ=Σl=1∞=(2l+1)/{l(l+1)}[{ηl'(ka)/ξl'(ka)}τl(cosθ)+{ηl(ka)/ξl(ka)}πl(cosθ)],-iSφ=Σl=1∞=(2l+1)/{l(l+1)}[{ηl'(ka)/ξl'(ka)}πl(cosθ)+{ηl(ka)/ξl(ka)}τl(cosθ)]です。
そして,時間平均として,<cos2φ>=<sin2φ>=[∫02πcos2φdφ]/(2π)=[∫02πsin2φdφ]/(2π)=1/2であることを用いると,実際の観測にかかる微分断面積はdσ/dΩ={1/(2k2)}(|Sθ|2+|Sφ|2)で与えられると結論されます。
さて,x→0 ではηl(x)=xjl(x)~xl+1/(2l+1)!!,ηl'(x)~(l+1)xl/(2l+1)!!です。また,ξl(x)=xhl(1)(x)~-i(2l-1)!!/xl,ξl'(x)~il(2l-1)!!/xl+1です。
それ故,ηl'(ka)/ξl'(ka)~-i(l+1)(ka)2l+1/[l(2l+1){(2l-1)!!}2],ηl(ka)/ξl(ka)~-i(ka)2l+1/[(2l+1){(2l-1)!!}2]です。
そこで,以前にも概算したka→0,あるいはka<<1,つまりa<<λのレイリー(Raileigh)散乱では,上記-iSθと-iSφの右辺の展開においてl=1の項だけが効いてきます。
そしてl=1ではτl(cosθ)=dP11(cosθ)/dθ=cosθ,π1(cosθ)=P11(cosθ)=1でありη1'(ka)/ξ1'(ka)~-2i(ka)3/3,ηl(ka)/ξl(ka)~-i(ka)3/3です。
Sθ~(ka)3(2cosθ-1)/2,Sφ~(ka)3(2-cosθ)/2)より,|Sθ|2+|Sφ|2~(ka)6(5cos2θ-8cosθ+5)/4です。
そこで,dσ/dΩ={1/(2k2)}(|Sθ|2+|Sφ|2)~k4a6(5-8cosθ+5cos2θ)/8∝k4a6~a6/λ4,σ=2π∫(dσ/dΩ)d(cosθ)=10πk4a6/3=160π5a6/(3λ4)です。
したがって,ka<<1,つまりa<<λのレイリー散乱では微分断面積dσ/dΩ,全断面積σは共にk4に比例しています。あるいは波長λの4乗に反比例しています。
一方,ka~1,つまりa~λでは,Sθ,Sφにおける各項のηl'(ka),ξl'(ka),ηl(ka),ξl(ka)等のl=1の先頭項だけではなく,全てのlの項が効いてきます。そして,a~λの太陽からの可視光線の空気中の水滴やエアロゾルなどによる散乱に相当していて,これをミイ(Mie)散乱と呼びます。
しかし,これまでの議論では散乱体は電気伝導率σ=∞の完全導体球であると仮定して球体の半径r=aの表面上でEθ=Eφ=0,Br=0 である,という境界条件を用いました。
ここで,より現実的に考えて,散乱体が球であるという仮定はそのままでもいいですが,散乱体は完全導体から成るのではなく,任意の有限な電気伝導率σから成る物体であるとします。
また,その散乱体球の内部の透磁率は真空と同じくほぼμ0ですが,誘電率の方は一般の値εであるとします。空気分子,水滴などによる光の散乱ではこちらの誘電体というモデルの方がふさわしいと思います。
すると,この誘電体球の内部での電磁場の運動方程式は,∇×E=-∂B/∂tは真空中と同じですが,∇×H=∂D/∂t(i.e.∇×B=(1/c2)∂E/∂t)の方は,∇×H=∂D/∂t+i=∂D/∂t+σE,すなわち∇×B=μ0ε∂E/∂t+μ0σEとすべきです。
そこで,誘電体内部でも外部と同じくE,Bがexp(-iωt)という定在波としての時間依存因子を持つ波とすれば,これは∇×B=-iμ0(εω+iσ)Eとなります。
前の,散乱体が完全導体のときには内部には如何なる電流iも存在できず,元々電流のない球体外部と同様に内部でも∇×B=(1/c2)∂E/∂tで∇×B=-i(ω/c2)Eでした。
そして,TM波,TE波に対するポテンシャルは散乱体の外部ではもちろん,ΠM,ΠEですが,内部ではχM,χEであるとします。
すると,誘電体外部ではEMφ={1/(rsinθ)}{∂2(rΠM)/∂r∂φ},EMθ=(1/r){∂2(rΠM)/∂r∂θ}でしたが,内部でも単にEMφ={1/(rsinθ)}{∂2(rχM)/∂r∂φ},EMθ=(1/r){∂2(rχM)/∂r∂θ}となります。
しかし,磁場の方は外部での表現:BMφ=(iω/c2)(∂ΠM/∂θ),BMθ=-{iω/(c2sinθ)}{∂(∂ΠM/∂φ)における係数ω/c2=μ0ε0ωがμ0(εω+iσ)=(εω/ε0+iσ/ε0)/c2に変わるので,誘電体内部ではBMφ=(iωa/c2)(∂χM/∂θ),BMθ=-{iωa/(c2sinθ)}{∂(∂χM/∂φ)と書けます。
ここで,広義の複素振動数ωaを導入してωa≡εω/ε0+iσ/ε0と定義しました。
さて,球体の外部の真空中ではポテンシャルΠが従う方程式は,波動方程式(△-c-2∂2/∂t2)ΠM=[△-μ0ε0∂2/∂t2]ΠM=0 において波数k=2π/λがk2≡ω2/c2=μ0ε0ω2と表現されるヘルムホルツ方程式:(△+k2)ΠM=0 でした。
しかし,誘電体中では波動方程式は[△-μ0(ε+iσ/ω)∂2/∂t2]χM=0 となるので,これはka2≡μ0(ε+iσ/ω)ω2として(△+ka2)χM=0 となります。複素係数:ε+iσ/ω=(ωa/ω)ε0はωに依存する複素誘電率と解釈されます。
そこで,ka2=μ0(εω+iσ)ω=ωωa/c2であってEMr=ka2χM+(1/r){∂2(rχM)/∂2r},BMr=0 です。ka=2π/λaです。
同様に,EEr=0,EEθ=(iωa/sinθ)(∂χE/∂φ),EEφ=-iωa∂χE/∂θ,BEr=ka2χE+(1/r){∂2(rχE)/∂2r},BEθ=(1/r){∂2(rχE)/∂r∂θ},BEφ={1/(rsinθ)}{∂2(rχE)/∂r∂φ}です。そして,(△+ka2)χE=0 ですね。
これらヘルムホルツの方程式の解としての誘電体内部のTM波,TE波を与えるポテンシャルχM,χEは,r=0 の中心で有限であって,やはりs波(l=0 の波)はないと考えられます。
それ故,χM(r,θ,φ)≡(1/ka)Σl=1∞CMljl(kar)Pl1(cosθ)cosφ,χE(r,θ,φ)≡{1/(cka)}Σl=1∞CEljl(kar)Pl1(cosθ)sinφと表現することができます。
この場合の境界条件は,全く普通でr=aの球表面において接線成分Eθ,Eφ,Hθ,Hφが連続,そこでμ=μ0=(一定)よりBθ,Bφが連続であり,法線成分BrとDr=εErも連続という条件となります。
ただ,今のケースでは電束密度Dと電場Eの現象論的関係は単純な実定数誘電率によるD=εEではなく,D(ω)=(ε+iσ/ω)E(ω)=(ωa/ω)ε0E(ω)=(ka2/k2)ε0E(ω)なる関係と考えられます。
そこで,Drの連続性については球の外部のEと内部の(ka2/k2)Eの連続性を問題にする必要があります。
故に,この条件からは(1/k2)[(2l+1)il-1ηl(ka)+l(l+1)AMlξl(ka)]=(ka2/k2)(1/ka2)l(l+1)CMlηl(kaa)です。
同様にBrの連続性からは{1/(ck2)}[(2l+1)il-1ηl(ka)+l(l+1)AElξl(ka)]={1/(cka2)}l(l+1)CElηl(kaa)です。
また,Eθ,Eφ,Bθ,Bφの連続性からは(1/k)[(2l+1)/{l(l+1)}il-1ηl'(ka)+AMlξl'(ka)]=(1/ka)CMlηl'(kaa),および(1/k)[(2l+1)/{l(l+1)}il-1ηl'(ka)+AElξl'(ka)]=(1/ka)CElηl'(kaa)です。
これらの式からCMl,CElを消去すると,AMl=il+1(2l+1)/{l(l+1)}{kaηl'(ka)ηl(kaa)-kηl'(kaa)ηl(ka)}/{kaξl'(ka)ηl(kaa)-kηl'(kaa)ξl(ka)},
および,AEl=il+1(2l+1)/{l(l+1)}{kaηl(ka)ηl'(kaa)-kηl'(ka)ηl(kaa)}/{kaξl(ka)ηl'(kaa)-kξl'(ka)ηl(kaa)}が得られます。
ここで,後の便宜のために散乱体を構成する誘電体の複素屈折率をn^≡λ/λa=ka/k=(ε+iσ/ω)/ε0)1/2で定義しておきます。
例えば,ka<<1, or a<<λの場合なら,AMl~il+1(2l+1)/{l(l+1)}(l+1)kal+2kl-kalkl+2)a2l+1/{(2l+1)!!}2,÷[i(lkal+2k-(l+1)+(l+1)kalk-(l-1))/(2l+1)]~[il/{l(2l+1)!!}2][(n^2-1)/{n^2+(l+1)/l}](ka)2l+1です。
同様に,AEl~[il/{l(l+1)(2l+1)(2l+3)]/{(2l+1)!!}2(n^2-1)(ka)2l+3です。
それ故,ka~ 0 での通常の弾性散乱では,TM波のl+1の項の寄与とTE波のl波の寄与が同じオーダーになります。
そこでka<<1のレイリー散乱の場合に実際に効くl=1の最初の項だけに着目すると,TM波では(ka)3,TE波ではka)5に比例するため,TM波のみが効くと見ていいでしょう。
そして,l=1では,AM1~i(ka)3(n^2-1)/(n^2+2)です。
これから,前のように完全導体の場合ならn^→∞のため,AM1~i(ka)3となることも確認されます。
τ1(cosθ)=cosθ,π1(cosθ)=1により,Sθ~(ka)3cosθ,Sφ~(ka)3cosθです。
そこで,dσ/dΩ={1/(2k2)}(|Sθ|2+|Sφ|2)~k4a6(1+cos2θ)/4∝k4a6~a6/λ4,σ=2π∫(dσ/dΩ)d(cosθ)=8πk4a6/3=128π5a6/(3λ4)となります。(レーリー散乱の場合)
これは,先の初めから完全導体球を仮定してその境界条件から求めたレーリー散乱の断面積の計算結果,dσ/dΩ={1/(2k2)}(|Sθ|2+|Sφ|2)~k4a6(5-8cosθ+5cos2θ)/8∝k4a6~a6/λ4,σ=2π∫(dσ/dΩ)d(cosθ)=10πk4a6/3=160π5a6/(3λ4)と僅かながら係数が異なっています。
これは,Sθ≡Σl=1∞(-i)l+1i[AMlτl+AElπl],Sφ≡Σl=1∞(-i)l+1i[AMlπl+AElτl]のl=1の項で,τ1=cosθ,π1=1,AMl~i(ka)3は同じですが,完全導体境界条件でAEl~(-i/2)(ka)3であるのに対して誘電体境界条件ではAEl~ 0 であるからです。
大気中の空気分子による散乱では,後者の誘電体境界条件を採用するべきと思われます。
そもそも,完全導体球を仮定してAM1~i(ka)3(n^2-1)/(n^2+2)において複素屈折率をn^=∞としたのですが,空気分子ではn^は有限ですから係数(n^2-1)/(n^2+2)をも考慮する必要がありますね。
今日はここまでにします。
参考文献:砂川重信著「理論電磁気学」第2版(紀伊国屋書店),M.Born,E.Wolf著(草川徹 訳)「光学の原理(3)」(東海大学出版会)
PS:ノリピーの裁判。。判決には依存ないけど。。。例によって不可解なことばかり。。
罪というのは薬物に関する法律の違反でしょう?誰と結婚しようが離婚しようが個人的な問題とは刑法は関係ないじゃん。。。
マスコミが騒いだせいで世間への影響が大きい割りに刑が軽い?。。
表向きは職業に貴賎なし。。全ての人間は性別,その生業に関わらず法の下には平等だろう。利権にからんだ周囲の大騒ぎ,ほとんどは本人の責任じゃない部分を責めてどうするんだ?。。
問題にすべきは,犯罪当時の被告の責任能力の有無(たとえば幼児であるとか認知症であるとかなら刑は軽くすべきとか。)のような問題だろうにね。。。。
まあ,普通の日本の刑事裁判(検事と弁護士の両方がいても公平であるべき判事が最初から検事9割,弁護士1割程度の予断と偏見を持っていて,本来5分5分の情況証拠なら"疑わしきは被告の利益に(=推定無罪)"の原則のはずなのに実際には真反対で,しかも世論になびく傾向大)だから,しょうがないか。。
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